IRFP150N N-FET 100V 42A 160W
Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolární Druh tranzistoru HEXFET Napětí drain-source 100V Proud drainu 39A Výkon 140W Pouzdro TO247AC Napětí gate-source 20V Odpor v sepnutém stavu 36mΩ Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.1K/W Montáž THT Náboj hradla 73.3nC
code: D4B3
