TF10N60
Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolární Napětí drain-source 600V Proud drainu 6.4A Pouzdro TO220F Napětí gate-source ±30V Odpor v sepnutém stavu 750mΩ Montáž THT Náboj hradla 31.1nC Druh kanálu obohacený
